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金属有机化学气相沉积系统是纳米制造领域的一项著名技术，在大规模集成电路、绝缘材料、磁性材料、光电子材料领域有着*的重要地位。通过利用气相间的反应，它能将蒸发的反应物沉积在表面形成薄膜，比如说石墨烯就是CVD广为认知的产物，但目前看来，制备薄膜半导体材料也是它受重视的应用之一。
金属有机化学气相沉积系统的原理：
CVD的研究始于十九世纪末，主要用于重要材料的合成和制备。若想知道CVD是如何制造特定薄膜的，那就得先了解它的原理。
CVD属于“自下而上”的纳米制造技术，其原理是把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室，通过提高温度、等离子体作用、光的辐射或其他形式的能量，使它们在衬底表面发生化学反应，生成新的固态物质沉积到表面生成薄膜的过程。
CVD包括4个主要阶段：①反应气体向材料表面扩散；②反应气体吸附于材料的表面；③在材料表面发生化学反应；④气态副产物脱离材料表面。由于是分子级别的成核或生长，所以CVD更适合在形状不规则的衬底表面形成致密均匀的薄膜，而且沉积速度快，膜层质量也很稳定，某些特殊膜层还具有优异的光学、热学和电学性能，因而易于实现批量生产。
但是CVD的沉积温度通常很高，在900℃~2000℃之间，容易引起零件变形和组织上的变化，从而降低机体材料的机械性能并削弱机体材料和镀层间的结合力，使基片的选择、沉积层或所得工件的质量都受到限制。因此，目前中、低温和高真空两个方面是CVD的主要发展方向。
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金属有机化学气相沉积系统的原理